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[삼성전자(005930)] 3nm GAA 기술 공개 조회 : 100
증권가속보3 (1.241.***.228) 작성글 더보기
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2019/05/21 08:59
 
삼성전자의 선제적 3nm GAA 기술 개발과 파운드리 투자 확대가 장기 성장 동력 확보로 연결될 것으로 전망


삼성전자가 3nm 파운드리 공정 기술을 공개

삼성전자가 지난주 미국에서 차세대 3nm GAA(Gate-All-Around) 프로세스 디자인 키트를 공개. 이는 파운드리 선두 업체 TSMC와 공정 격차 확대 가능성을 엿볼 수 있다는 측면에서 긍정적. 삼성전자 3nm 양산 시점은 2021년. GAA는 트랜지스터 게이트가 채널 4개면 모두에 배치되는 기술. 현재 주력 기술 FinFET은 3개 면에 배치. GAA는 구조가 복잡하고 일부 재료로 III-V가 사용될 가능성이 높다는 측면에서 공정 난이도가 매우 높을 것으로 예상

현재 파운드리 공정 경쟁력은 TSMC가 삼성전자보다 높음. TSMC가 7nm 공정 양산을 가장 먼저 시작했고 Apple AP 등 양산 경험도 많음. 두 회사간 공정 경쟁력 차는 5nm에서 근접한 수준까지 좁혀질 것. 3nm부터는 삼성전자 경쟁력이 높아질 것으로 예상. 이러한 전망의 근거는 EUV 양산 도입 시점의 차이

삼성전자는 7nm 공정부터 EUV를 양산에 도입. TSMC보다 빠름. 다양한 환경에서 빠르게 EUV 양산에 대한 경험을 쌓은 점이 EUV가 공정에 필수적인 5nm부터 효과를 발휘할 것으로 예상

파운드리 경쟁력 상승이 투자자 평가 상향으로 연결

기술적 자신감을 바탕으로 향후 삼성전자 파운드리 투자가 강화될 것으로 전망. 삼성전자는 2030년까지 파운드리를 포함한 비메모리 사업에 133조를 투자하겠다고 발표한 바 있음. 2018년 상반기 기준 파운드리 시장 점유율 1위는 TSMC로 56%. 삼성전자는 7% 수준

삼성전자 사업 부문 중 파운드리 사업 비중이 상승할 경우 회사 전체 밸류에이션 멀티플 상향이 가능할 전망. 파운드리가 메모리 산업보다 이익 안정성이 높음. 메모리 산업은 사이클에 따라 이익의 부침이 매우 심함. TSMC는 2004년 이후 연간 영업이익률이 30% 밑으로 하락한 적이 한 해도 없음. 가격 변동이 크지 않고 수요를 확보하고 생산에 들어가는 사업 특성 때문. 이로 인해 산업에 대한 글로벌 투자자 선호도가 매우 높음. 19년 예상 실적 기준 TSMC 밸류에이션이 PER 18.2배로 삼성전자 11.6배를 크게 상회

주) III-V: 3-5족 화합물. 트랜지스터를 소형화하는 과정에서 겪는 노광 기술 한계 및 작아진 반도체 소자에서 발생할 수 있는 발열, 전류 누설 등 여러 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 물질

NH 도현우



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